නිසග අර්ධ සන්නායකය
නිසග අර්ධ සන්නායකයක් යනු, මාත්‍රණය-නොකල අර්ධ සන්නායකයක් හෝ i-වර්ගයේ අර්ධ සන්නායකයක් ලෙසද හැඳින්වේ, සැලකිය යුතු තරම් මාත්‍රක වර්ගයන් අන්තර්ගත නොවන්නාවූ සංශුද්ධ අර්ධ සන්නායකයකි. මේ නිසා ආරෝපණ වාහකයන් සංඛ්‍යාව තීරණය වන්නේ ද්‍රව්‍යයෙහි ගුණාංග අනුව මිස අපද්‍රව්‍ය ප්‍රමාණය අනුව නොවේ. නිසග අර්ධ සන්නායකයන් තුල සැකැබුණු ඉලෙක්ට්‍රෝන සහ කුහර සංඛ්‍යාව සමානය: n = p.
නිසග අර්ධ සන්නායකයක විද්‍යුත් සන්නායකතාවය ඇති වන්නේ ස්ඵටික විකලතාවයන් නිසාවෙන් හෝ තාපජ සැකැබුම නිසාවෙන් හෝ විය හැක. නිසග අර්ධ සන්නායකයක සන්නායක කලාපයෙහි ඇති ඉලෙක්ට්‍රෝන සංඛ්‍යාව, සංයුජතා කලාපයෙහි ඇති කුහර සංඛ‍්‍යාවට සමානය. නිදසුනක් ලෙසින්, කාමර උෂ්නත්වයෙහිදී Hg0.8Cd0.2Te දැක්විය හැක.
අන්සෘජු කලාප අන්තර නිසග අර්ධ සන්නායකයක් වනාහී සංයුජතා කලාපයෙහි උපරිම ශක්තියද සන්නායක කලාපයෙහි අවම ශක්තියද වෙනස් k (k-අවකාශ තරංග දෛශිකය) අගයන්හිදී ඇති වන අර්ධ සන්නායකයකි. නිදසුන් ලෙස සිලිකන් සහ ජර්මේනියම් දැක්විය හැක. සෘජු කලාප අන්තර නිසග අර්ධ සන්නායකයක සංයුජතා කලාපයෙහි උපරිම ශක්තියද සන්නායක කලාපයෙහි අවම ශක්තියද එකම k අගයෙහිදී ඇති වෙයි. නිදසුනක් ලෙසින් ගැල්ලියම් ආසනයිඩ් දැක්විය හැක.
සිලිකන් ස්ඵටිකයක් පරිවාරකයකින් වෙනස් වනුයේ, නිරපේක්ෂ ශුන්‍ය උෂ්ණත්වයට ඉහළ ඕනෑම උෂ්ණත්වයකදී, දැලිසෙහි ඇති ඉලෙක්ට්‍රෝනයක් එහි ස්ථානයෙන් මිදී නික්මීම නිසා "කුහරය" ලෙසින් හැඳින්වෙන ඉලෙක්ට්‍රෝන ඌනතාවයක් ඇති වීමට පරිමිත සම්භාව්‍යතාවයක් ඇති බැවිනි.
වෝලටීයතාවයක් යෙදුවහොත්, ඉලෙක්ට්‍රෝනය හා කුහරය යන ද්වයම කුඩා ධාරා ගැලුමකට දායක විය හැක.
අර්ධ සන්නායකයක සන්නායකතාවය, ඝන ද්‍රව්‍යයන්හී කලාප වාදය අනුසාරයෙන් ආකෘතිකරනය කල හැක. අර්ධ සන්නායකයක කලාප ආකෘතිය යෝජනා කරනුයේ, සාමාන්‍ය උෂ්ණත්වයන්හිදී, සන්නායක කලාපය වෙත ඉලෙන්ට්‍රෝන වලට ලඟාවී විද්‍යුත් සන්නායනය සඳහා දායක වීමට පරිමිත සම්භාව්‍යතාවයක් ඇති බවය.
නිසග යන පදය මෙහි ව්‍යවහාර වන්නේ, සංශුද්ධ "නිසග" සිලිකන් වල ගුණාංග සහ ඊට බොහෝ සෙයින් වෙනස් මාත්‍රණය කල n-වර්ගයෙහි හෝ p-වර්ගයෙහි අර්ධ සන්නායක වල ගුණාංග අතර පරස්පරය හුවා දැක්වීම සඳහාය.